非接触式半导体量测设备

专注导电类以及高纯半绝缘类材料的非接触参数测量

维瑞精仪(Verilabs)是世界领先技术的非接触式半导体参数检测分析设备制造商,集研发、设计、制造、销售于一体,主要针对半导体及相关材料做电阻率、迁移率、载流子浓度、少子寿命参数测量。

ρ电阻率 N载流子浓度 μ迁移率 μτ迁移率-载流子寿命乘积
应用材料 SiSiCInPGaAs CZTGeSiGaNGa₂O₃
全球首家 单设备四参数非接触测量
VEI-1500 非接触式导电型半导体材料参数测试仪
10 nm – 数百 μm涂层厚度检测范围
公司介绍

攻克国外垄断技术的非接触量测设备制造商

跳到产品参数

维瑞精仪是世界领先技术的非接触式半导体参数检测分析设备制造商,集研发、设计、制造、销售于一体,主要攻克国外垄断技术,公司半导体检测技术起源于 2007 年。

创始人德国求学期间起步,此后参与完成多个半导体测试机台的联合开发,积累了从物理机理、算法到整机工程化的完整技术路径。

目前,维瑞精仪是全球首家具备单设备非接触式测量高阻型半导体材料电阻率 ρ、载流子浓度 CC、迁移率 μ、迁移率-载流子寿命乘积 μτ 的公司;非接触式导电型半导体材料参数测试仪参数性能领先国外竞品。

  • 非接触式导电型半导体材料参数测试仪
  • 非接触式高纯半绝缘型半导体材料参数测试仪
2007

技术源起 · 德国求学

创始人德国求学期间起步,随后参与完成多个半导体测试机台的联合开发。

R&D

自主开发 · 导电涂层量测

基于太赫兹的定量信噪比(SNR)估算模型,涵盖 10nm 至数百 um 级别厚度的方阻、体电阻、厚度等检测。

R&D

自主开发 · 高阻材料体系

化合物半导体高阻材料体系检测设备:Corona-Charge 电晕放电技术。

QC

可靠性验证与量产导入

100 台设备完成 1000+ 小时老化测试;核心探头与传感器累计稳定运行超 5 年。

产品核心技术能力

两套自主技术体系,覆盖导电与高阻半绝缘

太赫兹定量信噪比(SNR)估算模型 · 导电涂层材料

基于太赫兹的定量信噪比(SNR)估算模型的导电涂层材料,涵盖 10nm 至数百 um 级别厚度的方阻、体电阻、厚度等检测。

10 nm – 数百 μm检测厚度
≤10 mm探头 / 线圈直径
Corona-Charge 电晕放电测量原理示意图
Corona-Charge 电晕放电测量链路示意:测量台 → 电荷放大器 → 飞安级电流检测 → 电容桥 → 工控机

Corona-Charge 电晕放电技术

自主开发的化合物半导体高阻材料体系检测设备。微秒时间窗口、飞安级小信号,载流子从激发到恢复过程全采集。

单设备四参数全数据输出

独家算法实现单一测试过程内电阻率 ρ、载流子浓度 CC、迁移率 μ、迁移率-载流子寿命乘积 μτ 全数据输出。

核心部件自主可控

探头、传感器等核心部件自主设计制造,核心探头与传感器累计使用时长超 5 年稳定运行。

可检测材料列表

从晶锭、衬底、外延片到超薄柔性材料

同一套非接触量测平台覆盖化合物半导体、宽禁带材料、柔性基板与导电耗材等多类被测对象,支持 4–12 英寸晶圆与最大 300mm 检测尺寸。

晶锭、衬底、外延片

  • Si · 硅
  • SiC · 碳化硅
  • GaAs · 砷化镓
  • GaN / Ga₂O₃ · 氮化镓 / 氧化镓
  • InP · 磷化铟
  • CdTe / CdZnTe · 碲化镉 / 碲锌镉
  • 蓝宝石 Sapphire / 红宝石 Ruby

基板材料

  • 刚性玻璃
  • 板级封装 PLP
  • PCB 玻纤板
  • 聚合物薄膜
  • 金属薄片
  • FR-4 / FCCL

超薄柔性材料

  • 超薄玻璃
  • 纸张与纺织品
  • 金属丝、绳索、带材
  • 碳纤维、单丝
  • 导电纱线

其他应用

  • 导电浆料
  • 液体材料
  • CZT / GeSi 等探测器与硅基材料
  • 薄膜太阳能电池(CdTe、InP)
  • X 射线探测器晶体(Cd(Zn)Te)
产品中心

两条非接触量测产品线

VEI-1500 VEI-1500 非接触式导电型半导体材料参数测试仪

非接触式导电型半导体材料参数测试仪

Non-Contact Parameter Tester for Conductive Semiconductor Materials · VEI-1500

面向 4–12 英寸晶圆的方阻、迁移率与载流子面密度全自动面扫描量测。集成非接触式方阻测试模块与非接触迁移率测试模块,支持全自动上下晶圆与批量化测试。

4–12″样品尺寸
64×64可测试点位
6 pcs/h测试效率
0.035–3000方阻范围 Ω/sq
  • 定位重复性 ±0.1mm,旋转重复性 ±1.5°,测试样品厚度 100μm–1000μm
  • 全自动上下晶圆,单批次不少于 20 片
  • 选配:自动测厚、自动巡边、OCR 识别、HMI 测试区域复选
指标项目技术指标要求备注
定位重复性± 0.1 mm—
旋转重复性± 1.5°—
测试样品厚度范围100 μm – 1000 μm晶圆厚度
样品尺寸4 – 12 英寸载台可选
可测试点位64 × 64 点(行 × 列)—
测试探头直径≤ 10 mm—
测试效率6 片 / 小时每片 256 点(16×16 点)
批量化测试能力≥ 20 片 / 批次全自动上下晶圆
选配功能自动测厚 / 自动巡边 / OCR 识别 / HMI 复选HMI 测试区域复选功能
VEI-HRM 非接触式高纯半绝缘型半导体材料参数测试仪

非接触式高纯半绝缘型半导体材料参数测试仪

Non-Contact Parameter Tester for High-Purity Semi-Insulating Semiconductor Materials · VEI-HRM Series

专为半绝缘化合物半导体(GaAs、SiC、GaN)电阻率非接触检测设计,精准匹配国际顶尖性能指标,是半导体材料研发与量产质控的关键检测设备。

10⁵–10¹³电阻率量程 Ω·cm
≤ 1%单点重复性
300 mm最大检测尺寸
2000–8000迁移率 cm²/(V·s)
  • 全自动测量:最大检测尺寸 300mm,自动生成点阵扫描(常用 64×64),图形自编辑选点测量,可测点位更多
  • 厚度自动测量:检测重复精度 <1μm;设备分辨率 0.03mm,可测到裂痕(AOI 选配支持)
  • Wafer 厚度 0.1–5mm(标准产品),5–7mm 可定制开发;原始数据与滤波后数据同时展示
  • 相机定位(9 点标定),任意放置不影响重复测量精度;核心探针直径 1–2mm 可定制,去边距离最小 1.5mm
  • 可选配功能:电阻率、迁移率、载流子浓度、缺陷检测(AOI 定制)
可检测材料与应用方向
GaAs · RF / Optoelectronics CdTe · Photonics / PV InP · High-speed / Photonics SiC · RF / High power Cd(Zn)Te · X-ray detectors
性能优势

优于行业标杆:某品牌 C-2000机型

单探头超宽量程、全参数一次输出、亚 1% 数据一致性,为大规模半导体制造提供稳定可靠的质量监控保障。

电阻率 · 超宽量程覆盖

单探头测量范围达 10⁵~10¹³ Ω·cm,适配多元衬底,完美覆盖半绝缘 GaAs、InP 及 SiC 等宽禁带半导体材料的电阻率检测需求。

全参数一次采集

非接触 Corona-Charge 电晕放电技术,微秒时间窗口、飞安级小信号,载流子从激发到恢复过程全采集;独家算法实现单次测试输出 ρ / CC / μ / μτ 全数据。

优异重复性 · 高效产线质控

数据一致性强 优于 1%,无需频繁校准,支持快速批量检测,兼顾覆盖度与节拍效率。

超细检测探针

核心探针直径 1–2mm 区间可定制,去边距离最小 1.5mm;电阻检测能力优于该标杆机型 25%。

测试数据与案例

真实晶圆与晶锭的面扫描结果

点击图片可放大查看完整图谱。以下数据均来自维瑞精仪设备实测,包含云图、真值图、散点图与重复性统计。

导电型

可靠性以及关联性测试(SiC 晶锭)

导电型

GaAs 测试云图与一致性稳定性

导电型

InP-S 测试云图与一致性稳定性

高纯半绝缘

电阻率真值图 / 散点图 / 云图

高纯半绝缘

InP-Fe 迁移率与电阻率云图

MappingSystem

面扫描软件:云图、等值线、三维曲面

自动生成点阵扫描与点云图,支持原始数据与滤波后数据展示、图形自编辑选点测量,多种运动轨迹兼顾覆盖度和效率。

扫描轨迹

多种运动轨迹,兼顾覆盖度和效率

全扫描轨迹示意全扫描图
8×8 扫描轨迹示意8 × 8
16×16 扫描轨迹示意16 × 16
32×32 扫描轨迹示意32 × 32
64×64 扫描轨迹示意64 × 64
米字形扫描轨迹示意米字形扫描
矩形点阵扫描轨迹示意矩形点阵扫描
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电话 / 联系人
+86 186 8898 3284
张先生 Edward Zhang
邮箱
edward.zhang@verilab.com.cn
公司
深圳市维瑞精仪科技有限公司
广东 · 深圳

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